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| 立足先进技术 打造国际领先封装企业 |
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江苏长电科技股份有限公司(简称长电科技)是集成电路封测产业链技术创新战略联盟理事长单位，中国领先的半导体封装测试生产基地，为客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案，荣获国家重点高新技术企业、中国电子百强企业、中国半导体十大领军企业等称号，拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站和我国第一家高密度集成电路国家工程实验室。其为客户所生产的产品涵盖4C(计算机、通信、消费电子、汽车电子)等广泛的应用领域。2009年，长电科技营收已达3.5亿美元，已跻身全球封测排名第八，为中国内资第一大封测厂。
力争全球前五
随着经营环境的持续转暖，加上国内调结构与促消费宏观政策环境的推动，今年上半年国内半导体产业面临大好的发展机遇，出现了难得的强劲复苏势头。上半年长电科技订单充足，经营业绩成为主板上市公司中一道靓丽的风景。2010年上半年净利润大幅度增长，预计第三季归属母公司净利润同比增长145倍至156倍。
与此同时，长电科技在技术水平、经营策略和市场开拓等方面也取得了长足进步。一方面生产规模有了较大的提升，经济效益显著增长；另一方面产品结构、工艺水平、技术创新等方面也实现了跨越式发展，进一步缩小了与国际大厂的差距。主要表现在：一是长电科技跻身全球封测业排名第八位；二是主要依托长电科技为主体的集成电路封测产业链技术创新战略联盟建立并在国家重大科技项目的创新活动中发挥出积极作用；三是国家唯一的“高密度集成电路封装技术国家工程实验室”在长电科技建立；四是长电科技控股子公司长电先进被德州仪器评为全球优秀供应商，越来越多的国际大企业与长电科技开展多项技术合作。
长电科技下一步发展构想是培育具有公司自主知识产权的核心竞争力，在国际先进封测技术方面求得突破，进入世界封装行业的先进行列，实现公司技术转型升级，在先进封装核心技术和关键工艺方面达到世界先进水平。长电科技的具体目标有两个：一是营业规模进入世界封测行业排名前五名；二是有2～3项封装技术创新成果，能成为国际主流封装技术。
基本掌握九大核心技术
集成电路行业是一个典型的资本技术双密集型行业。在整体技术水平上，国内封测行业仍以DIP、SOP、SOT等传统的中低端封装形式为主，与国际先进水平仍存在较大差距，难以满足国内设计和芯片制造行业发展的要求。“十二五”是国家调整经济结构和发展新兴战略性产业的重要时期，也是长电科技创新转型发展的重要阶段。
通过引进、消化吸收国外先进封装技术，以及多年的技术沉淀与持续研发，如今的长电科技在IC封装领域已基本掌握九大核心技术，与国际封测主流技术同步发展。这些技术包括：硅穿孔(TSV)封装技术、SiP射频封装技术、圆片级三维再布线封装工艺技术、铜凸点互联技术、高密度FC-BGA封测技术、多圈阵列四边无引脚封测技术(MIS)、封装体三维立体堆叠封装技术；50μm以下超薄芯片三维堆叠封装技术、MEMS等新兴产品封测技术。
长电科技WL-CSP、TSV、SiP三大主流技术已与世界先进水平接轨。在SiP封装上，长电科技已占据国内绝对领先地位，接近国际先进水平，减薄技术达到25μm，堆叠可达8层以上，焊线距离小到35μm，包括低弧度打线等。长电科技的射频器件封装设计能力也很强，WLCSP封装技术国际领先，规模已进全球前三。世界上体积最小的影像传感器(CIS)已在长电科技生产，12英寸圆片级封装也已经批量生产，铜柱凸块技术也已进入小批量生产，该技术将在全球流行。另外，长电科技有很多四边无引脚多圈封装(又称高脚位QFN)专利，已申请了500多项专利，其中一半是发明专利。目前，长电科技正组织技术团队抓紧新型封装技术MIS的研究与开发，并尽快使该技术产业化。很多国际大公司都非常看好这个产品，已经开始和长电科技展开合作。这一技术项目一旦实现规模化生产，将是长电科技对世界半导体产业作出的又一贡献。
长电科技创新的脚步仍在继续。它对QFN/MIS/MIS-PP产品线的研发有着更长远的计划，未来将提供客户多元化设计所需要的选择与具有竞争力的性价比。凭借新工艺能力的延伸，长电科技产品路线除现有的模拟产品(主要为电源管理系列)封装测试以外，将逐渐拓展至混合信号与主芯片产品的代工业务。
对新一代产品的市场推广，长电科技计划于2010年第四季度展开。对于现有BGA/QFP等高脚数I/O的产品与整合型模块(如电源模块将控制芯片与功率器件加以整合)，将是极力推广的重点，其产品的应用是没有限制与区隔的，市场前景可期。
MIS封装独具特色
每一项技术的进步，都凝聚着长电人不懈的努力和智慧的汗水，让长电人特别引以为豪的是MIS，该技术能够将目前IC封装主流技术QFN/DFN系列产品工艺提升至新水平，拓展至新领域，与传统QFN/DFN、QFP和BGA等技术相比较，MIS具有诸多优点。
在MIS的技术优势基础上，长电科技还有能力将所拥有的Flip Chip与铜线工艺技术，以及自主框架设计和生产能力加以整合，进一步缩短产品开发周期，提升竞争力。具体而言有三大优势：一是可使产品实现小外形、高密度，节省材料，提高生产效率；二是扇入扇出内外引脚互联技术，大大节约金线使用量；三是配合以基板为基础的SiP封装测试服务，对于高密度与高传输速率的高阶封装制程与需求以及具备异质整合特性的封装需求都能加以支持，从而让IC在轻薄短小之余，还可拥有强大的效能。这些市场与产业趋势将持续推升封装业在产业供应链中的地位。目前长电科技市场布局已由本土客户群渐渐扩充至欧美日韩以及我国台湾地区的国际领先企业(包括IDM和Fabless)。
长电科技致力于创新的封装技术开发，以期能成为国际主流的封装技术创新者。目前，长电科技在MIS上的新工艺制程开发已有突破性进展，基于新封装技术的产品可靠性皆符合业界的标准需求，同时提供客户端对于产品“Time to market”以更佳弹性的配合。
正因长电科技在创新封装技术上的持续开发，公司目前在QFN系列产品方面品种齐全，并有良好的生产经验。对于MIS的新工艺开发，除沿用现有的生产设备外，更重要的是具有引线框的设计与制造能力，向客户提供从封装设计到产品终测的全面“Turnkey service”。 （伟 文）
MIS封装技术简介
微电子技术在经历了几十年的发展，势头依然不减。集成电路特征尺寸正在快速向几个原子大小逼近。同时，大量系统级集成技术开发出来并得以实用。这一切延续了著名的摩尔定律的继续有效，即每18个月芯片集成度提高1倍。由此，便催生了现代无线通信、互联网等大量新兴技术和产业，改变了人类生活和社会的每一个细小方面和环节。反之，各种电子系统及产品的大量普及应用又对微电子技术提出了更多更高的要求。最为典型的例子就是近年来异军突起的智能手机。随着电脑、电视、游戏、定位等功能不断被组合进手机中，智能手机中的芯片数量急剧增加、功能不断增强，对芯片的微型化、多功能化、复杂化、高速化和低成本提出了极大挑战，也对封装技术提出了新的要求。目前，封装技术应对智能手机等微电子产品快速发展基本上是渐进式的，通过对10多年前的BGA、QFN和SiP封装的不断改良和组合发展来适应芯片封装的要求。虽然卓有成效，但在很大程度上也迟滞了电子产品技术的发展步伐，阻碍了最新芯片设计的实用化。时代呼唤全新的封装技术的诞生。
长电科技顺应微电子技术新潮流，成功开发出独创的革命性新一代MIS封装技术，实现了芯片封装的微型化、高密度、高性能、多功能和低成本的新突破。MIS封装的开发成功将为众多芯片技术提供全新的封装解决方案，促进各种电子产品的跨越式进步。
全新MIS封装性能优势包括：
●首次在框架封装产品上实现扇入和扇出设计，极大提高封装设计的灵活性，显著减少金线的用量；
●支持多圈及全阵列外引脚设计，极大地延伸了QFN封装的引脚数，I/O数由目前的100多增加至500左右；
●外引脚支持BGA植球功能，改善SMT良率和产品可靠性；
●细线能力达到15微米线宽及线距；
●细微的尺寸带来超小超薄的封装；
●兼容芯片倒装(FC)、COL、芯片堆叠及POP等各种封装技术；
●与现有QFN和BGA实现Pin-to-Pin兼容；
●优良的框架材料和制作技术提高封装良率及品质；
●优良的射频(RF)及各种电学性能。
MIS封装技术规范：
●封装尺寸最小1.0mm×0.6mm，最大15mmx15mm；
●最小封装厚度0.4mm；
●最小外引脚尺寸0.2×0.2mm或φ0.2mm，最小外引脚间距0.4mm，可支持不规则外引脚形状；
●最少I/O数2，最多I/O数500；
●最小线宽线距15μm/15μm；
●实心通孔，单层或双层布线选择；
●最小金线直径18μm；
●可铜线焊线；
●达到MSL1(湿气敏感性)水平；
●多种表面镀选择(PPF，NiAu，OSP)。
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